ZXMN3B04N8TC

包裝
帶卷（TR）可替代的包裝
系列
-
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）
7.2A （Ta）
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）
25 毫歐 @ 7.2A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)
23.1nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)
2480pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
產(chǎn)品簡介說明
MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC
產(chǎn)品描述備注

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