CSD16556Q5B

包裝
帶卷（TR）可替代的包裝
系列
NexFET??
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)
25V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）
100A （Tc）
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
1.07 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）
1.7V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)
47nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)
6180pF @ 15V
功率 - 最大值
3.2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-TDFN 裸露焊盤
產(chǎn)品簡(jiǎn)介說明
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
產(chǎn)品描述備注

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