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QS8K21TR

  • 廠家:Rohm Semiconductor
  • 封裝:TSMT8
  • 批號(hào):--
  • 數(shù)量:電詢
  • 價(jià)格:2.395
  • 類型:FET - 陣列
  • PDF:QS8K21TR
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QS8K21TR

  • 包裝

    帶卷 (TR)

  • 系列

    -

  • FET 類型

    2 個(gè) N 溝道(雙)

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    45V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí))

    4A

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)

    53 毫歐 @ 4A,10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 1mA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    5.4nC @ 5V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    460pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    550mW

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    8-SMD,扁平引線

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    MOSFET N-CH TSMT8

  • 產(chǎn)品描述備注

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