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NSBA123EDXV6T1G

  • 廠家：ON Semiconductor
  • 封裝：SOT-563
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價格：詢價
  • 類型：晶體管（BJT） - 陣列﹐預偏壓式
  • PDF：NSBA123EDXV6T1G

NSBA123EDXV6T1G

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    -

  • 晶體管類型

    2 個 PNP 預偏壓式（雙）

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）

    100mA

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）

    50V

  • 電阻器 - 基底 (R1) (Ω)

    2.2k

  • 電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω)

    2.2k

  • 不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）

    8 @ 5mA，10V

  • 不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）

    250mV @ 5mA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）

    500nA

  • 頻率 - 躍遷

    -

  • 功率 - 最大值

    500mW

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    SOT-563，SOT-666

  • 產(chǎn)品簡介說明

    TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

  • 產(chǎn)品描述備注

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