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QS8J12TCR

  • 廠家：Rohm Semiconductor
  • 封裝：TSMT8
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：2.132
  • 類型：FET - 陣列
  • PDF：QS8J12TCR

QS8J12TCR

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 類型

    2 個(gè) P 溝道（雙）

  • FET 功能

    邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    12V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    4.5A

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    29 毫歐 @ 4.5A，4.5V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 1mA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    40nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    4200pF @ 6V

  • 功率 - 最大值

    1.5W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    8-SMD，扁平引線

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET P-CH TSMT8

  • 產(chǎn)品描述備注

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