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RN1961(TE85L,F)

  • 廠家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封裝：US6
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：詢價(jià)
  • 類型：晶體管（BJT） - 陣列﹐預(yù)偏壓式
  • PDF：RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

  • 包裝

    Digi-Reel? 可替代的包裝

  • 系列

    -

  • 晶體管類型

    2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）

    100mA

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）

    50V

  • 電阻器 - 基底 (R1) (Ω)

    4.7k

  • 電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω)

    4.7k

  • 不同?Ic、Vce?時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）

    30 @ 10mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）

    300mV @ 250μA， 5mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）

    100nA（ICBO）

  • 頻率 - 躍遷

    250MHz

  • 功率 - 最大值

    200mW

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 產(chǎn)品簡介說明

    TRAN DUAL NPN US6 50V 100A

  • 產(chǎn)品描述備注

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